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碳化硅器件是由第三代半導體材料SiC制成的寬禁帶器件，具有較高的擊穿電壓，較低的導通阻抗。銀河微電推出650V和1200V碳化硅肖特基二極管，為工程師設(shè)計各種應用的功率轉(zhuǎn)換 電路提供了理想的解決方案。

產(chǎn)品特點：

1. 具有比硅更優(yōu)異的開關(guān)特性和更高的可靠性。
2. 低傳導損耗，獨立于溫度的零反向恢復 。
3. Tj高達175°C，高浪涌電流能力 。

應用范圍：

5G基建，新能源汽車充電樁及軌道交通等